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这篇文章最后是埃里克（Eric）。
Wentx编辑2016-1-523：31
答案|报告| 4parachutes30parachutes30脱机LV6高级工程师点数：766 |主题：45 |出版物：127个发送新闻点的访问空间：766LV6高级工程师2016-1-621：39:56倒计时6为什么会有许多MOS数据表没有这个Rg吗？有一小部分MOS吗？
答案|报告| 5 Eric
温特里克
Wentx脱机版本的主要点LV7：45670 |主题：485 |消息：1679发送消息点的访问空间：45670主要版本2016-1-709：倒数5 of 31:55，电缆阻抗等在某些情况下，许多MOSFET规格都没有徽标。
答案|报告| 6大麻Sasa脱机LV7版本要点：9638 |主题：59 |出版物：3460发送消息点的访问空间：9638主要版本2016-1-710：04：18倒计时4通用大功率MOS此Rg，尤其是低压大电流同步整流MOS的标记。
个人推测：在低功率应用中，通常不强调MOS晶体管的开/关特性。从控制器到门的单元电阻相对较大（通常为10Ω或更大），并且MOS中的Rg通常为1-3Ω，可以忽略不计。
但是，在大功率应用中，重点是MOS晶体管的导通/截止特性，因此从控制器到门的单元电阻非常低。
如果2Ω或未连接，则此时MOS内部Rg效应不能忽略。
答案|报告| 7yueding123yueding123脱机LV8副总工程师得分：2601 |主题：9 |出版物：679访问空间消息发送点：2601LV8副总工程师2016-1-711：37:02 3课倒计时？
答案|报告| 8lahowardlahoward离线LV10总工程师点数：19723 |主题：91 |帖子：5582发送访问空间消息点数：19723LV10总工程师2016-1-712：02：48倒数2合理。
答案|报告| 9th Century Power Network-Kyuten世纪Power Network-Kyuten离线LV8超级版主点：16083 |主题：551 |帖子：3689访问空间消息发送点：16083超级主持人最终回应2016-1-1511：17答：36倒计时1可以访问网站以进行新的21Datasheet搜索。
具体位置如下。